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    • 专利摘要:
    本發明係提供一種形成微細圖型時，不產生圖型傾倒之顯像液，與使用其之圖型形成方法。本發明之顯像液，係於含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物與有機溶劑之光微影蝕刻製程所使用之顯像液。本發明之顯像液，係聚合物與阻劑相異的樹脂。本發明之顯像液係於阻劑膜之曝光後使用。本發明之顯像液係醋酸丁酯、或醋酸丁酯與醇之混合溶劑亦或2-戊酮、或2-戊酮與醇之混合溶劑。本發明之半導體裝置之製造方法，其係含有如下步驟：於半導體基板上被覆阻劑，形成阻劑層，再進行曝光之步驟(A)；使顯像液與該阻劑層之表面接觸，於阻劑圖型之間形成聚合物層的步驟(B)；以乾式蝕刻去除阻劑層，以形成藉該聚合物所成之逆式圖型的步驟(C)。
    公开号:TW201303526A
    申请号:TW101110140
    申请日:2012-03-23
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Rikimaru Sakamoto；Yasushi Sakaida；Bang-Ching Ho
    申请人:Nissan Chemical Ind Ltd；
    IPC主号:G03F7-00
    专利说明:
    含聚合物之顯像液
    本發明係關於一種於光微影蝕刻製程所使用之顯像液。
    自以往在半導體裝置之製造中，使用光阻劑組成物之光微影蝕刻進行微細加工。前述微細加工係於矽晶圓上形成光阻劑組成物之薄膜。於其上介由描繪半導體裝置之圖型的遮罩圖型而照射紫外線等之活性光線，並顯像，以所得到之阻劑圖型作為保護膜而蝕刻處理矽晶圓之加工法。但，近年，進行半導體裝置之高度積體化，所使用之活性光線亦從i線(波長365nm)、KrF準分子雷射(波長248nm)朝ArF準分子雷射(波長193nm)有短波長化的傾向。隨此，源自活性光線之基板的亂反射或駐波的影響為大的問題。因此，於光阻與基板之間設有抗反射膜(bottom anti-reflective coating)之方法已廣泛被研究。
    藉圖型之微細化在光微影蝕刻步驟於阻劑曝光後進行之顯像與顯像液的清洗步驟圖型傾倒之顯像成為問題。
    圖型傾倒之原因認為係顯像液或清洗液乾燥時之表面張力或伴隨液體之流動的力作用於圖型間之力，亦即受拉普拉斯(Laplace)力之影響。又，認為使顯像液或清洗液利用離心力而朝外側飛濺時亦產生拉普拉斯力，造成圖型傾倒。
    為解決如此之問題，已揭示一種圖型形成方法，其係包含如下步驟：於基板上形成阻劑膜之步驟；於前述阻劑膜形成潛影，對前述阻劑膜選擇照射能量線之步驟；為從形成前述潛影之前述阻劑膜形成阻劑圖型，於前述阻劑膜上供給顯像液(鹼顯像液)之步驟；為將前述基板上之顯像液取代成清洗液，於前述基板上供給前述清洗液之步驟；為取代成含前述基板上之清洗液的至少一部分溶劑、與前述阻劑膜相異之溶質的塗佈膜用材料，於前述基板上供給前述塗佈膜用材料之步驟；於前述基板上形成被覆阻劑膜之塗佈膜，使前述塗佈膜用材料中之溶劑揮發之步驟；使前述阻劑圖型上面的至少一部分露出及形成以前述塗佈膜所構成之遮罩圖型，使前述塗佈膜之表面的至少一部分後退的步驟；使用前述遮罩圖型而加工前述基板之步驟。(參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
    專利文獻1：特開2005-277052號公報 發明之概要

    若阻劑圖型變成微細，顯像時使顯像液旋乾時，仍受拉普拉斯力造成圖型傾倒。
    本發明之目的係在於提供一種形成微細圖型時，不產生圖型傾倒的顯像液、與使用其之圖型形成方法。
    本發明之第1觀點，係一種顯像液，其係於光微影蝕刻製程所使用之顯像液，並含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物與有機溶劑。
    第2觀點，係如第1觀點之顯像液中，前述聚合物為與形成阻劑膜之硬化性樹脂相異的硬化性樹脂。
    第3觀點，係如第1或2觀點之顯像液中，前述顯像液為於前述阻劑膜之曝光後使用。
    第4觀點，係如第1~3觀點中任一項之顯像液中，前述顯像液之有機溶劑為醋酸丁酯、或醋酸丁酯與醇之混合溶劑。
    第5觀點，係如第1~3觀點中任一項之顯像液中，前述顯像液之有機溶劑為2-戊酮、或2-戊酮與醇之混合溶劑。
    第6觀點，係如第1~5觀點中任一項之顯像液中，前述聚合物為酚醛清漆樹脂或聚有機矽氧烷。
    第7觀點，係如第1~6觀點中任一項之顯像液中，前述顯像液中之前述聚合物的濃度為0.5~20重量%。
    第8觀點，係一種半導體裝置之製造方法，其係含有如下步驟：於半導體基板上被覆阻劑，形成阻劑膜，再進行曝光之步驟(A)；使如第1~7觀點中任一項之顯像液與該阻劑膜之表面接觸，於該被圖型化之阻劑膜的圖型之間形成前述聚合物之層的步驟(B)；以乾式蝕刻去除該被圖型化之阻劑膜，以形成藉該聚合物所成之逆式圖型的步驟(C)。
    第9觀點，係如第8觀點之半導體裝置之製造方法中，前述步驟(A)中之阻劑膜的形成為於半導體基板上形成阻劑下層膜，於其上形成阻劑膜所得到者。
    第10觀點，係如第8觀點之半導體裝置之製造方法中，前述步驟(A)中之阻劑膜的形成為於半導體基板上形成有機下層膜，於其上形成含有矽原子之硬遮罩，於其上形成阻劑膜所得到者。
    第11觀點，係如第8~10觀點中任一項之製造方法中，於前述步驟(B)中，包含前述聚合物層之形成施加熱者。
    第12觀點，係如第8~11觀點中任一項之製造方法中，在前述步驟(C)中，阻劑/聚合物之乾式蝕刻速度比為1.0以上。
    若依本發明，藉由被覆於半導體基板上，使形成膜之阻劑曝光後，使含有聚合物之顯像液接觸於該阻劑膜，俾於該阻劑膜形成圖型，同時於圖型之間填充該聚合物，故可於顯像及洗淨時防止阻劑之崩壞。又，在本發明中係該聚合物為與形成該阻劑膜之硬化性樹脂相異的種類之硬化性樹脂，故可藉乾式蝕刻選擇性去除阻劑膜。藉此，可形成以該聚合物產生之新微細圖型。用以實施發明之形態
    在上述專利文獻1的習知技術中，使曝光後之阻劑表面以顯像液顯像後，以清洗液洗淨，以含有聚合物成分之塗佈液取代清洗液，以聚合物成分被覆阻劑圖型，其後，以乾式蝕刻去除阻劑而以被取代之聚合物成分形成逆圖型之方法。
    但，在上述方法中係有可能以顯像液或清洗液去除阻劑，形成阻劑圖型時拉普拉斯力作用，產生圖型之傾倒。
    本發明係於遮罩曝光後之阻劑表面接觸含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物之顯像液，阻劑係曝光部不溶於有機溶劑，使未曝光部以含有有機溶劑之顯像液溶解，同時以所含有之聚合物以聚合物填充於阻劑圖型間，防止阻劑圖型之崩壞者。其後，乾式蝕刻填充有阻劑圖型之表面而去除阻劑圖型，所填充之聚合物成為新的阻劑圖型。此係亦可謂逆製程。
    阻劑層與所填充之聚合物係宜形成為藉乾式蝕刻所使用之氣體種致乾式蝕刻速度變化之組合，例如使用丙烯酸系阻劑材料作為阻劑層時，所填充之聚合物層的聚合物係宜為使用酚醛清漆樹脂(酚酚醛清漆樹脂、萘酚醛清漆樹脂、或其等之組合)等具有高含碳率的樹脂、或聚有機矽氧烷材料。
    本發明係於曝光後之阻劑以含有聚合物之顯像液被覆，使未曝光部顯像，同時並於被顯像去除之阻劑圖型間於其後之步驟可重新形成新的圖型之聚合物進行填充，故當初之阻劑圖型不崩壞，可填充，以其後之乾式蝕刻製程藉逆圖型，可形成不崩壞之微細圖型。
    其次，說明有關本發明之組成物的構成。
    本發明係於含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物與有機溶劑之光微影蝕刻製程所使用之阻劑顯像液。
    顯像液係於有機溶劑中溶解上述乾式蝕刻遮罩形成用聚合物者，固形分為0.5~20質量%、或1.0~10.0質量%。所謂固形成分係從顯像液去除有機溶劑之其餘的比率。
    固形分中占有之上述乾式蝕刻遮罩形成用聚合物之比率係50~100質量%、或80~100質量%。
    顯像液中之乾式蝕刻遮罩形成用聚合物的濃度為0.5~20.0質量%。
    在本發明中，於阻劑之曝光後所使用的顯像液，故通過遮罩而曝光後被上述顯像液去除之部分為未曝光部。
    乾式蝕刻遮罩形成用聚合物係與形成阻劑膜之硬化性樹脂相異的硬化性樹脂。
    藉此，在其後的乾式蝕刻步驟中，依氣體種之選定，選擇性乾式蝕刻去除阻劑而填充之乾式蝕刻遮罩形成用聚合物形成新的圖型。
    此等之中，不含有羥基之溶劑宜為醋酸丁酯，可舉例如醇與醋酸丁酯之混合溶劑。可舉例如以1：99~20：80之質量比混合4-甲基-2-戊醇與醋酸丁酯之有機溶劑。
    又，可舉例如丙二醇單甲基醚與醋酸丁酯之混合溶劑。可舉例如以1：99~20：80之質量比混合丙二醇單甲基醚與醋酸丁酯之有機溶劑。
    於顯像液所含有之乾式蝕刻遮罩形成用聚合物係可舉例如與形成阻劑膜之硬化性樹脂相異的硬化性樹脂。例如阻劑為使用丙烯酸系阻劑時，所填充之聚合物層的聚合物宜為使用酚醛清漆樹脂(酚酚醛清漆樹脂、萘酚醛清漆樹脂、或其等之組合)等具有高含碳率的樹脂、或聚有機矽氧烷材料。
    酚醛清漆樹脂係可例示於以下。
    可使用含有上述單元構造、或上述單元構造的組合之酚醛清漆樹脂。x與y係莫耳比，可舉例如x：y=100：0~0：100，或80~20：20~80、或70~30：30~70。
    具有式(1)之單元構造的聚合物之重量平均分子量係可為1000~30000、或2000~10000的範圍。
    聚矽氧烷樹脂係可使用使由如以下所例示之式(2)選出的至少1種水解性矽烷水解並縮合所得到的聚矽氧烷。
    [化2]R1 aSi(R2)4-a 式(2)
    但，式中R1係烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烯基、或環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、氫硫基、烷氧基芳基、醯氧芳基、或具有氰基之有機基、或其等之組合，且藉Si-C鍵與鹵原子鍵結者，R2係表示烷氧基、醯氧基、或鹵素基，a表示0~3之整數。
    使由如式(2)選出的至少1種水解性矽烷水解並縮合所得到的聚矽氧烷之重量平均分子量係可為500~30000、或800~10000的範圍。
    水解係烷氧基矽氧基、醯氧基矽氧基、或鹵化矽氧基之水解係水解性基每1莫耳，使用0.5~100莫耳，較佳係1~10莫耳的水。
    又，水解性基每1莫耳，可使用0.001~10莫耳，較佳係0.001~1莫耳的水解觸媒。
    進行水解與縮合時之反應溫度一般為20~80℃。
    水解係可完全進行水解，亦可部分水解。亦即，亦可於水解縮合物中殘存水解物或單體。水解縮合時可使用觸媒。
    水解觸媒係可舉例如金屬螫合化合物、有機酸、無機酸、有機鹼、無機鹼。
    作為水解觸媒之有機酸係可舉例如醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、馬來酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、沒食子酸、酪酸、偏苯三甲酸、花生油酸、莽草酸、2-乙基己酸、油酸、硬脂酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、水楊酸、安息香酸、對胺基安息香酸、對甲苯磺酸、苯磺酸、單氯醋酸、二氯醋酸、三氯醋酸、三氟醋酸、蟻酸、丙二酸、磺酸、酞酸、富馬酸、檸檬酸、酒石酸等。
    作為水解觸媒之無機酸係可舉例如鹽酸、硝酸、硫酸、氟酸、磷酸等。
    作為水解觸媒之有機鹼可舉例如吡啶、吡咯、六氫吡嗪、六氫吡咯、六氫吡啶、甲基吡啶、三甲基胺、三乙基胺、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二偶氮聯環辛烷、二偶氮聯環壬烷、二偶氮聯環十一碳烯、氫氧化四甲基銨等。無機鹼可舉例如氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等。此等觸媒之內，宜為金屬螫合化合物、有機酸、無機酸，此等係可1種或2種以上同時使用。
    可使用於水解之有機溶劑係可舉例如正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、正庚烷、異庚烷、2,2,4-三甲基戊烷、正辛烷、異辛烷、環己烷、甲基環己烷等之脂肪族烴系溶劑；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、甲基乙基苯、正丙基苯、異丙基苯、二乙基苯、異丁基苯、三乙基苯、二-異丙基苯、正戊基萘、三甲基苯等之芳香族烴系溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第二丁醇、第三丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、第二戊醇、第三戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、第二己醇、2-乙基丁醇、第二庚醇、庚醇-3、正-辛醇、2-乙基己醇、第二辛醇、正壬醇、2,6-二甲基庚醇-4、正癸醇、第二-十一醇、三甲基壬醇、第二-十四醇、第二-十七醇、酚、環己醇、甲基環己醇、3,3,5-三甲基環己醇、苯甲醇、苯基甲基卡必醇、二丙酮醇、甲酚等之單醇系溶劑；乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、戊烷二醇-2,4、2-甲基戊烷二醇-2,4、己二醇-2,5、庚烷二醇-2,4、2-乙基己烷二醇-1,3、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、甘油等之多元醇系溶劑；丙酮、甲乙酮、甲基-正丙基酮、甲基-正丁基酮、二乙基酮、甲基-異丁基酮、甲基-正戊基酮、乙基-正丁基酮、甲基-正己基酮、二-異丁基酮、三甲基壬酮、環己酮、甲基環己酮、2,4-戊烷二酮、乙腈丙酮、二丙酮醇、乙醯苯、崶酮(Fenchone)等之酮系溶劑；乙基醚、異丙基醚、正丁基醚、正己基醚、2-乙基己基醚、環氧乙烷、1,2-環氧丙烷、二氧戊環(dioxolane)、4-甲基二氧戊環、二噁烷、二甲基二噁烷、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單正丁基醚、乙二醇單正己基醚、乙二醇單苯基醚、乙二醇單2-乙基丁基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇單正丁基醚、二乙二醇二正丁基醚、二乙二醇單正己基醚、乙氧基三甘醇、四乙二醇二正丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、4-甲基-2-戊醇、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單丁基醚、三丙二醇單甲基醚、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等之醚系溶劑；碳酸二乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、醋酸正丙酯、醋酸異丙酯、醋酸正丁酯、醋酸異丁酯、醋酸第二丁酯、醋酸正戊酯、醋酸第二戊酯、醋酸3-甲氧基丁酯、醋酸甲基戊酯、醋酸2-乙基丁酯、醋酸2-乙基己酯、醋酸苯甲酯、醋酸環己酯、醋酸甲基環己酯、醋酸正壬酯、乙醯基醋酸甲酯、乙醯基醋酸乙酯、醋酸乙二醇單甲基醚、醋酸乙二醇單乙基醚、醋酸二乙二醇單甲基醚、醋酸二乙二醇單乙基醚、醋酸二乙二醇單正丁基醚、醋酸丙二醇單甲基醚、醋酸丙二醇單乙基醚、醋酸丙二醇單丙基醚、醋酸丙二醇單丁基醚、醋酸二丙二醇單甲基醚、醋酸二丙二醇單乙基醚、二醋酸甘醇、醋酸甲氧基三甘醇、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、酞酸二甲酯、酞酸二乙酯等之酯系溶劑；N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等之含氮系溶劑；硫化二甲基、硫化二乙基、噻吩、四氫噻吩、二甲基亞碸、環丁碸、1,3-丙烷丙磺酸內酯(sultone)等之含硫系溶劑等。此等之溶劑係可1種或2種以上組合而使用。
    此聚矽氧烷係例如可例示於以下。
    x與y係莫耳比，可舉例如x：y=100：0~0：100，或80~20：20~80、或70~30：30~70。
    本發明之半導體裝置之製造方法，其係含有如下步驟：於半導體基板上被覆阻劑，形成阻劑層，再進行曝光之步驟(A)；於該阻劑層之表面接觸如第1~7觀點中任一項之顯像液，於阻劑圖型之間形成聚合物層的步驟(B)；以乾式蝕刻去除阻劑層，以該聚合物形成逆圖型的步驟(C)。
    可使用於步驟(A)之阻劑材料係可舉例如具有聚甲基丙烯酸酯等之樹脂成分的阻劑。阻劑溶液係塗佈後以燒成溫度70.0~150.0℃且燒成時間0.5~5分鐘進行燒成，阻劑膜厚係可以10~1000nm之範圍得到。阻劑溶液或顯像液或於以下所示之塗佈材料係可以旋塗、浸漬法、噴塗法等被覆，但尤宜為旋塗法。阻劑曝光係經過特定之遮罩而進行曝光。
    曝光係可使用KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)及EUV光(波長13.5nm)、電子束等。曝光後，亦可依需要而曝光後進行加熱(PEB：Post Exposure Bake)。曝光後加熱係可從加熱溫度70~150℃、加熱時間0.3~10分鐘適當選擇。
    步驟(A)之阻劑的形成，於半導體基板上形成阻劑下層膜，可於其上形成阻劑。
    步驟(A)之阻劑的形成，於半導體基板上形成有機下層膜，於其上形成矽之硬遮罩，於其上形成阻劑。
    於上述步驟(A)所使用之阻劑下層膜係防止上層阻劑之曝光時的亂反射者，又，就提昇與阻劑之密著性的目的所使用者，可使用例如丙烯酸系樹脂或酚醛清漆系樹脂。阻劑下層膜係於半導體基板上形成膜厚1~1000nm之被膜。
    於上述步驟(A)所使用之有機下層膜係使用有機樹脂之硬遮罩，可使用碳含量高且氫含量低之材料。可舉例如聚乙烯基萘系樹脂、咔唑酚醛清漆樹脂、酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂等。此等係於半導體基板上形成膜厚5~1000nm之被膜。
    可使用於上述步驟(A)之矽的硬遮罩係上述聚矽氧烷樹脂係可使用使由如以下所例示之式(2)選出的至少1種水解性矽烷水解所得到的聚矽氧烷。例如可例示使四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、及苯基三乙氧基矽烷水解所得到之聚矽氧烷。此等係於上述有機下層膜上以膜厚5~200nm形成被膜。
    在步驟(B)中，乾式蝕刻遮罩形成用聚合物層之形成的聚合物係可加熱而形成。加熱係以燒成溫度50~180℃進行0.5~5分鐘。
    在步驟(C)中，乾式蝕刻係可使用四氟甲烷、全氟環丁烷(C4F8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟甲烷、一氧化碳、氬、氧、氮、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮、及三氟化氯等之氣體。藉此，去除當初之阻劑圖型，可以顯像液中所含有之乾式蝕刻遮罩形成用聚合物形成逆圖型。實施例 合成例1
    使萘酚酚醛清漆樹脂(1-萘酚：酚=50：50之莫耳比與甲醛反應，合成酚醛清漆樹脂。重量平均分子量為3200)3g溶解於丙二醇單甲基醚3.88g、醋酸丁酯93.12g，得到含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物之顯像液。 合成例2
    使含矽樹脂(以3-三甲氧基矽氧丙基甲基丙烯酸酯：甲基三乙氧基矽烷=20：80的莫耳比混合，使用混合之矽烷進行水解與縮合，得到聚矽氧烷樹脂。重量平均分子量為2600)3g溶解於4-甲基-2-戊醇3.88g、醋酸丁酯93.12g，得到含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物之顯像液。 (以阻劑未曝光部之取代與乾式蝕刻所產生之圖型) 實施例1
    於矽基板上使用旋塗機而以膜厚80nm製膜阻劑下層膜(市售品、樹脂成分係聚甲基丙烯酸酯)，於其膜上使用旋塗機而塗佈ArF用阻劑溶液(市售品、樹脂成分係聚甲基丙烯酸酯)。在加熱板上，藉由以100℃加熱60秒俾形成膜厚100nm之阻劑膜。使用ArF準分子雷射用曝光裝置(NIKON公司製S307E)以特定之條件曝光。以目的之線寬為65nm線與線距，曝光後，以105℃進行加熱(PEB)60秒，在清洗板上冷卻至室溫。使所合成例1所得到的顯像液於阻劑膜上盛液，靜置60秒、1500rpm旋塗60秒而旋乾溶劑，進一步，盛液合成例1之顯像液而靜置5秒，以1500rpm旋轉60秒而進行圖型形成膜與阻劑未曝光部之取代。
    阻劑未曝光部之取代的有無係依截面SEM觀察進行判斷。 實施例2
    在上述實施例1中，除使用合成例2的顯像液取代合成例1之顯像液以外，其餘係同樣地進行。 比較例1
    在上述實施例1中，使只由有機溶劑所構成之顯像液旋塗，其後，使用實施例1之顯像液以外，其餘係與實施例1同樣地進行。
    在表1中以含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物之顯像液所得到的聚合物之埋入性評估，係以截面SEM的觀察使圖型形成為良好時為「良好」，圖型形成不良或圖型形成未進行時為「無」。
    圖型傾倒之有無的評估係以截面SEM的觀察使未圖型傾倒時為「無」，產生圖型傾倒時為「有」。
    在實施例2埋入之膜的乾式蝕刻進行圖型化。進行使用CF4作為蝕刻氣體之乾式蝕刻，使阻劑圖型上部露出呈現。最後，進行使用O2作為蝕刻氣體之乾式蝕刻，去除阻劑而得到圖型。與阻劑圖型一起，阻劑下層膜之至少一部分被蝕刻。 產業上之利用可能性
    可形成不使圖型傾倒而形成微細之阻劑圖型，並可使用於高度積體之半導體裝置的製造。
    权利要求:
    Claims (12)
    [1] 一種顯像液，其係於光微影蝕刻製程所使用之顯像液，其特徵為含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物與有機溶劑。
    [2] 如申請專利範圍第1項之顯像液，其中前述聚合物為與形成阻劑膜之硬化性樹脂相異的硬化性樹脂。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之顯像液，其中前述顯像液為於前述阻劑膜之曝光後使用。
    [4] 如申請專利範圍第1~3項中任一項之顯像液，其中前述顯像液中之有機溶劑為醋酸丁酯、或醋酸丁酯與醇之混合溶劑。
    [5] 如申請專利範圍第1~3項中任一項之顯像液，其中前述顯像液中之有機溶劑為2-戊酮、或2-戊酮與醇之混合溶劑。
    [6] 如申請專利範圍第1~5項中任一項之顯像液，其中前述聚合物為酚醛清漆樹脂或聚有機矽氧烷。
    [7] 如申請專利範圍第1~6項中任一項之顯像液，其中前述顯像液中之前述聚合物的濃度為0.5~20重量%。
    [8] 一種半導體裝置之製造方法，其係含有如下步驟：於半導體基板上被覆阻劑以形成阻劑膜，且進行曝光之步驟(A)；使如申請專利範圍第1~7項中任一項之顯像液與該阻劑膜之表面接觸，於該被圖型化之阻劑膜的圖型之間形成前述聚合物之層的步驟(B)；以乾式蝕刻去除該被圖型化之阻劑膜，以形成藉由該聚合物所成之逆式圖型的步驟(C)。
    [9] 如申請專利範圍第8項之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟(A)中之阻劑膜的形成，係於半導體基板上形成阻劑下層膜，且於其上形成阻劑膜所得者。
    [10] 如申請專利範圍第8項之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟(A)中之阻劑膜的形成，係於半導體基板上形成有機下層膜，且於其上形成含有矽原子之硬遮罩，於其上形成阻劑膜所得者。
    [11] 如申請專利範圍第8~10項中任一項之製造方法，其中於前述步驟(B)中，前述聚合物層之形成包含施加熱者。
    [12] 如申請專利範圍第8~11項中任一項之製造方法，其中在前述步驟(C)中，阻劑/聚合物之乾式蝕刻速度比為1.0以上。
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    法律状态:
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011066290||2011-03-24||
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